三星先进制程工艺良率不达标 竞争不过台积电

据韩媒报道，三星电子的第1、2代3nm工艺（SF3E-3GAE与SF3-3GAP）目前的良率分别为60%和20%左右。这一水平并未达到潜在客户（如高通、英伟达）所要求的70%，因此三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单，这直接影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。作为一家具备IDM特征的企业，三星DS部的存储器、系统LSI、Foundry三大业务实际上相互关联。如果系统LSI设计的自家Exynos处理器能够由Foundry顺利制造，并且外界也认可Foundry的技术水平，那么这将吸引更多外部客户选择三星逻辑代工+HBM+先进封装“交钥匙”方案，并且存储器业务部门所生产的先进HBM内存自然不会缺乏销路。然而，由于目前三星未能实现这一良性循环，导致整个半导体业务处于危机状态。据韩媒预计，在集团年度管理层调整中，三星电子DS部可能会经历高管大洗牌。三大业务部的负责人均有可能被更换。这一调整预计将于本月内进行，早于通常的12月初。值得注意的是，三星今年5月意外地在年中就更换了DS部总负责人，由全永贤接替庆桂显。这一人事变动引发了业界的关注。

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