消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计

据韩媒报道，三星电子的HBM3E产品由于受到其14nm级DRAM的拖累，至今未能通过最大需方英伟达的认证并开始供货。这款36GB容量的HBM3E 12H内存预计直到2025年第2至3季度才能启动供应。三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级DRAM，而竞争对手SK海力士和美光的产品则基于1nm级DRAM，这就导致了三星在HBM领域存在相对工艺劣势。此外，三星电子在其12nm级DRAM的最初设计中并未考虑到HBM领域的用途，因此无法立即调整HBM3E内存的DRAM Die选用。同时，三星电子的1a DRAM还存在工艺和设计两方面的问题。由于采用了较激进的 EUV 技术以降低成本，其1a DRAM产品拥有多于SK海力士同期产品的5个 EUV 层。然而，由于EUV 工艺复杂、稳定性欠佳，这些优势并未转化为经济上的优势。除了以上问题外，三星的1a DRAM的设计本身也存在问题，导致其对应的DDR5服务器内存条获得英特尔产品认证的时间晚于竞争对手SK海力士。消息人士透露，三星电子正在内部讨论是否对其1a DRAM的部分电路进行重新设计，但尚未做出最终决定。这个过程需要6个月的时间才能完成批量生产，并且难以及时向下游厂商交付产品。

本文 htmlit 原创，转载保留链接！网址：https://dgghz.com.cn/keji/1524.html